- 產(chǎn)品詳情
選型：
CLF3H0060-10；CLF3H0060S-10
CLF3H0060-30；CLF3H0060S-30
CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100
CLF3H0060-10；CLF3H0060S-10
CLF3H0060-10 和 CLF3H0060S-10 是 10 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續(xù)波和脈沖應用。
CLF3H0060-30 ；CLF3H0060S-30
CLF3H0060-30 和 CLF3H0060S-30 是 30 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN-SiC HEMT 晶體管，可在 DC 至 6.0 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續(xù)波和脈沖應用。
CLF3H0035-100 ；CLF3H0035S-100
CLF3H0035-100 和 CLF3H0035S-100 是 100 W 通用、無與倫比的寬帶 GaN HEMT 晶體管，可在 DC 至 3.5 GHz 的頻率范圍內使用。該器件采用熱增強型封裝，支持連續(xù)波和脈沖應用。
參數(shù)
| 象征 | 參數(shù) | 條件 | 最小值 | 典型值/否 | 麥克斯 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| f范圍 | 頻率范圍 | 0 | 6000 | 兆赫 | ||
| PL（1分貝） | 1 dB增益壓縮時的標稱輸出功率 | 10 | W | |||
| 測試信號：脈沖連續(xù)波 | ||||||
| VDS | 漏源電壓 | PL= 10 瓦 [0] | 50 | V | ||
| Gp | 功率增益 | PL= 10 瓦 [0] | 18.8 | 20.1 | 分貝 | |
| RL系列在 | 輸入回波損耗 | PL= 10 瓦 [0] | -15 | 分貝 | ||
| ηD | 排水效率 | PL= 10 瓦 [0] | 57 | 63 | % | |
特點和優(yōu)勢：
10 W 通用寬帶射頻功率 GaN HEMT
高效率
低熱阻
出色的堅固性
專為 DC 至 6.0 GHz 頻率范圍內的寬帶操作而設計
支持 50 V 的 10 W GaN-SiC HEMT，采用無與倫比的配置，采用氣腔陶瓷封裝
在易于應用的軟件包中提供敏捷的性能
有關 RoHS 合規(guī)性，請參閱 Ampleon 網(wǎng)站上的產(chǎn)品詳細信息
ADS 和 MWO 中的大信號模型可在 Ampleon 網(wǎng)站上找到
應用：
寬帶戰(zhàn)術通信
寬帶對策
儀表放大器
UHF、L 和 S 波段雷達
