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  ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器 2024-07-25 09:11:21

  ARIZONA Capacitors W90523PVC管狀電容器，電壓3kV至250kV DC，電容最大2.000 μf，公差±10%，絕緣電阻25-50k ΩF，耗散因數(shù)<0.6%，多種外殼材料，操作溫度-55°C至125°C，符合ISO 9001:2015和MIL-STD-202標(biāo)準(zhǔn)。

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  Linear Systems 3N190/3N191單片雙晶P溝道增強(qiáng)型MOSFET 2024-06-05 08:59:39

  3N190/3N191系列是雙P溝道增強(qiáng)型MOSFET，適用于非隔離POL電源和低壓驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用。它們具有高開(kāi)關(guān)頻率、高輸入阻抗、高柵極擊穿電壓、低電容，適合高速負(fù)載切換和模擬信號(hào)放大。與BJT相比，這些MOSFET在處理大電流時(shí)產(chǎn)生的熱量更少，有助于提高能效。它們適用于交換應(yīng)用、放大電路、斬波電路等多種場(chǎng)合，并可作為Intersil產(chǎn)品的替代品。