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  IR HiRel GaN HEMT –氮化鎵晶體管 2021-02-22 17:15:14

  ?IR-HiRel?氮化鎵（GaN）比硅具有根本的優(yōu)勢(shì)。特別是高臨界電場(chǎng)使得GaN-HEMTs成為功率半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。與硅MOSFET相比，GaN-HEMTs具有優(yōu)異的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻和較小的電容，非常適合于高速開關(guān)。IR-HiRel不僅節(jié)省了功率，降低了系統(tǒng)的整體成本，而且允許更高的工作頻率，提高了功率密度和系統(tǒng)的整體效率。

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  V29系列壓控晶體振蕩器(VCXO)PDI 2024-09-03 09:13:43

  PDI V29系列VCXO是一款高性能壓控晶體振蕩器，尺寸14.00x9.10x4.70mm，頻率范圍0.75000 MHz至160.00000 MHz，輸出類型TTL/CMOS或LVCMOS，頻率穩(wěn)定性±25 ppm至±100 ppm，工作溫度0°C至+85°C，供電電壓3.3 V或5.0 V，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。