IRF540NPBF單N溝道功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2024-09-11 09:17:13 瀏覽:202
IRF540NPBF是一款采用TO-220封裝的單N溝道功率MOSFET,具有100V的電壓額定值。以下是對(duì)該器件的詳細(xì)介紹:
封裝與基本參數(shù)
封裝類型: TO-220
極性: N溝道
最大漏源電壓 (VDS): 100V
最大漏極電流 (ID): 33A (@25°C)
最大功耗 (Ptot): 140W
最大結(jié)溫 (Tj): 175°C
最大熱阻 (RthJC): 1.1K/W
最大柵源電壓 (VGS): 20V
柵源閾值電壓 (VGS(th)): 3V (最小) 到 4V (最大)
關(guān)鍵特性
1. 平面單元結(jié)構(gòu): 具有寬安全工作區(qū)(SOA),適合高電壓和高電流應(yīng)用。
2. 優(yōu)化可用性: 針對(duì)分銷合作伙伴提供最廣泛的可用性進(jìn)行了優(yōu)化,便于采購(gòu)。
3. 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn): 產(chǎn)品認(rèn)證符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),確保質(zhì)量和可靠性。
4. 低頻應(yīng)用優(yōu)化: 針對(duì)開(kāi)關(guān)頻率低于100kHz的應(yīng)用進(jìn)行了硅優(yōu)化,適用于低頻功率轉(zhuǎn)換。
5. 高電流額定值: 能夠處理高達(dá)33A的電流,適合高功率應(yīng)用。
優(yōu)勢(shì)
1. 更高的耐用性: 寬SOA和平面單元結(jié)構(gòu)提供了更高的耐用性和可靠性。
2. 廣泛可用性: 通過(guò)分銷合作伙伴,該器件具有廣泛的可用性,便于采購(gòu)。
3. 行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)資質(zhì): 符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn),確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性。
4. 低頻高性能: 在低頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,適合各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
5. 標(biāo)準(zhǔn)引腳布局: 標(biāo)準(zhǔn)引腳布局允許直接更換,便于設(shè)計(jì)集成。
6. 高電流能力: 能夠處理高電流,適合高功率應(yīng)用。
應(yīng)用
直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)
逆變器
開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)
照明系統(tǒng)
負(fù)載開(kāi)關(guān)
電池供電應(yīng)用
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