2N4117A,2N4118A,2N4119A,PN4117,PN4118,PN4119,SST4117,SST4118,SST4119放大器Linear Systems
發(fā)布時(shí)間:2024-04-29 09:28:46 瀏覽:240
Linear Systems 2N/PN/SST4117系列單通道N溝道JFET放大器是針對(duì)高輸入阻抗應(yīng)用而設(shè)計(jì)的理想選擇。它的特點(diǎn)包括低功耗和小的電路加載量,使其適用于需要高性能放大器的場(chǎng)合。
針對(duì)2N4117A型號(hào),它的源極飽和電流(IDss)小于600微安,而柵極源極漏電流(lgss)在2N4117A系列中低于1皮安,這保證了低功耗和小的電路加載量。
此外,該系列放大器在設(shè)計(jì)和性能上具有一些絕對(duì)最大額定值,需要在特定條件下測(cè)量并注意。該系列產(chǎn)品涵蓋了不同封裝形式下的尺寸和特性,如TO-72、TO-92和SOT-23。
電氣特性方面,該系列放大器具有穩(wěn)定的柵極源極擊穿電壓(BVGss),在不同型號(hào)中保持了一致的性能范圍。此外,其柵極反向電流非常低,進(jìn)一步體現(xiàn)了其高性能特點(diǎn)。
FEATURES | |
LOW POWER Ioss<600μA (2N4117A) | |
MINIMUM CIRCUIT LOADING less<1 pA (2N4117A Series) | |
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (NOTE 3) @25°℃(unless otherwise noted) | |
Gate-Source or Gate-Drain Voltage | 40V |
Gate-Current | 50mA |
Total Device Dissipation (Derate 2mWAC above 25℃) | 300mW |
Storage Temperature Range | 55°C to+150°℃ |
Lead Temperature (1/16"from case for 10 seconds) | 300℃ |
SYMBOL | CHARACTERISTIC | 4117 | 4118 | 4119 | UNITS | CONDITIONS | ||||
MIN | MAX | MIN | MAX | MIN | MAX | |||||
BVgss | Gate Source Breakdown Voltage | 40 | 40 | 40 | V | g =-1μA Vos=0 | ||||
Vgs | Gate-Source Cutoff Voltage | 0.6 | -1.8 | -1 | -3 | 2 | -6 | Vos =10V Io=1nA | ||
loss | Saturation Drain Current ( NOTE 2) | 0.03 | 0.60 | 0.08 | 0.60 | 0.20 | 0.80 | mA | Vos =10V Ves=0 | |
GSs | Gate Reverse Current 2N4117A,2N4118A,2N4119A | ■■ | -1 | -1 | -1 | pA | Vcs =-20V Vos=0 | |||
-2.5 | -2.5 | -2.5 | nA | 150℃ | ||||||
PN4117,PN4118,PN4119 SST4117,SST4118,SST4119 | ■■ | -10 | -10 | ■ | -10 | pA | Vos =-10V Vos=0 | |||
-25 | -25 | m■ | -25 | nA | 1509℃ | |||||
gis | Common-Source Forward Transconductance | 70 | 450 | 80 | 650 | 100 | 700 | μS | Vos =10V Vas=0 | f=1kHz |
gos | Common-Source Output Conductance | 3 | 5 | ■ | 10 | |||||
Ci | Common-Source Input Capacitance (NOTE 4) | 3 | 3 | ■ | 3 | pF | f=1MHz | |||
Crss | Common-Source Reverse Transfer Capacitance (NOTE 4) | 1.5 | 1.5 | 1.5 |
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