亚洲熟女乱综合一区二区三区,天天爱天天做天天爽2021,亚洲国产一区二区三区在线观看,九九热这里有精品

用于廣播應(yīng)用的Ampleon高壓RF LDMOS技術(shù)

發(fā)布時間:2023-11-20 09:26:29     瀏覽:409

  介紹:

  射頻功率放大器是個人通信系統(tǒng)(GSM, EDGE, W-CDMA, WiMAX)基站的關(guān)鍵部件。對于這些功率放大器,射頻橫向擴散MOS (LDMOS)晶體管由于其出色的功率能力,增益,效率,線性度,可靠性和低成本而成為標準選擇。

  LDMOS晶體管也是廣播應(yīng)用中的器件選擇,其中帶寬,堅固性和熱阻等附加要求很重要。在廣播應(yīng)用中,UHF (470- 860mhz)的帶寬(BW)要求幾乎是一個倍頻程,比基站中的W-CDMA信號大10倍以上。此外,LDMOS晶體管的設(shè)計,除了10:1的駐波比外,還應(yīng)具有承受大功率發(fā)射機突然失配的能力。由于要求低于0.4 K/W的高功率水平,晶體管和封裝的熱阻也非常關(guān)鍵。不斷有更高的功率水平的需求,以減少晶體管板的空間到最小。為了開發(fā)具有成本效益的廣播發(fā)射機,需要兩倍的最先進功率(150w)才能使模擬放大器的直接2比1替換成為可能,而數(shù)字廣播信號甚至需要更高的功率水平。

  最大功率受到低阻抗輸出匹配級的限制,給再現(xiàn)性和可靠性帶來了問題。解決方法是開發(fā)一種可以在更高電壓下工作的裝置。這增加了負載阻抗,使更可靠的電路設(shè)計成為可能,從而確保匹配元件的長壽命。

  本文介紹了40v LDMOS技術(shù)及其向50v技術(shù)的演進。這兩種技術(shù)都具有非常寬的頻帶操作,非常好的堅固性和非常高的輸出功率,適用于UHF廣播應(yīng)用。與最先進的32v LDMOS器件相比,這些高壓器件(300- 500w)的功率增加了一倍以上。

  設(shè)備描述

  高壓射頻LDMOS技術(shù)是在基站射頻LDMOS技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。如圖1所示,該技術(shù)在8英寸CMOS晶圓廠中進行處理,能夠光刻至0.14 um,其中LDMOST工藝源自具有LOCOS隔離的C075 CMOS (0.35 um柵極)工藝。在C075工藝的基礎(chǔ)上增加了基片源sink、CoSi2柵極硅化、鎢屏蔽、蘑菇型漏極結(jié)構(gòu)和厚2.8 μm的第四層AlCu金屬化層。該器件的布局如圖2所示。

image.pngimage.png

  它由許多(通常是50個)平行的手指組成,由漏極和柵極連接條連接。四個這樣的模具組合在一個陶瓷推挽封裝實現(xiàn)一個電源產(chǎn)品。特別開發(fā)的ESD器件對柵極進行保護。

  通過設(shè)計漏極延伸、外延層厚度和屏蔽結(jié)構(gòu),進一步將40 V和50 V的擊穿電壓分別提高到90 V和110 V,為高壓工作開辟了道路。

  晶體管的導(dǎo)通電阻和擊穿電壓都經(jīng)過優(yōu)化設(shè)計。這種優(yōu)化的成功可以從漏極延伸區(qū)域的電場分布非常平坦,柵極和漏極邊緣只有非常弱的峰值來識別。該分布如圖3所示。此外,由于這種工程場分布,晶體管的堅固性和可靠性也得到了根本改善。

image.png

  射頻性能

  圖4顯示了0.86 GHz時高壓LDMOS在42 V電源電壓下的窄帶連續(xù)波ab類射頻性能。該器件的增益通常為21 dB,由串聯(lián)柵極電阻限制,以實現(xiàn)低頻的良好穩(wěn)定性和易于調(diào)諧。功率水平為400w時的峰值效率為65%,而50v電源電壓技術(shù)的峰值效率為500w(未示出)。

image.png

  在圖5中,繪制了窄帶測試夾具中音調(diào)間距為100 kHz的雙音性能。三階調(diào)制間積IMD3穿過-30 dBc,接近200 W的平均輸出功率。相應(yīng)的漏極效率為52%。

image.png

  廣播行業(yè)正在大規(guī)模引進數(shù)字廣播,廣播公司和服務(wù)提供商迫切希望推進數(shù)字傳輸。這個數(shù)字DVB-T信號是一個OFDM調(diào)制信號,CCDF的0.01%概率為9.6 dB(包絡(luò)方法)。在晶體管的輸出端,線性化需要大約8 dB的CCDF - 0.01%。晶體管應(yīng)能處理模擬和數(shù)字信號。DVB的設(shè)備性能如圖6所示。該信號的肩距(距離中心頻率為4.3 MHz)在平均輸出功率下保持在-32 dBc以下。增益約為20 dB,效率為32%。對于50v技術(shù),可以實現(xiàn)120w的輸出功率和相同的效率。

image.png

  射頻性能分析

  從LDMOS的串聯(lián)和并聯(lián)損耗機制可以分析實際測量的DVB效率,并將其與b類的理論最大效率進行比較。根據(jù)對小型設(shè)備的測量推斷,高壓技術(shù)在0.86 GHz時的最大效率約為75%。高壓效率曲線與回關(guān)閉功率的關(guān)系如圖10所示,我們看到這條曲線非常接近理論最大b類效率。測量到的30- 32%的DVB效率在8 dB回退時實現(xiàn)。在頻率為0.86 GHz和電源電壓為40-50 V時,由于導(dǎo)通電阻和輸出電容,我們有并聯(lián)和串聯(lián)損耗的組合。根據(jù)它們的技術(shù)值,我們估計了ab類的損失,如圖10中的藍色曲線所示。廣播應(yīng)用的高壓射頻LDMOS技術(shù)實現(xiàn)的效率比從損耗機制理論估計的要高。這種差異可以歸因于更高的諧波貢獻,與截止頻率相比,這在低頻時變得重要。

image.png

  可靠性

  高壓LDMOS工藝是根據(jù)Ampleon使用的標準程序合格的,符合行業(yè)標準。特別注意了熱載流子的降解。熱載流子降解是由高電場和高電流密度共同引起的。

  當晶體管偏置到靜態(tài)狀態(tài)時測量衰減,這是針對高壓技術(shù)的,通常在電流為5 mA / mm柵極寬度和漏源電壓為40-50 V的情況下。這種靜態(tài)電流的退化可能導(dǎo)致器件性能的變化。高壓器件的性能得到了改善,如圖12所示。在同一圖中,有一個廣播晶體管的退化數(shù)據(jù),從一個32伏的一代。盡管新電壓晶體管的偏置條件較高,但它們幾乎沒有表現(xiàn)出任何退化。外推20年后,退化率僅為2%。

image.png

  熱阻對300- 500w的器件來說非常重要。因此,利用ANSYS對其熱阻進行了模擬。圖13顯示了一個模擬示例。利用該ANSYS工具對模具和封裝的熱阻進行了優(yōu)化。這導(dǎo)致典型的測量值為0.35 K/W,結(jié)溫低于160°C,允許可靠的操作。

  結(jié)論

  總之,我們展示了新的高壓(40-50 V) RF LDMOS技術(shù),該技術(shù)可以在高達1.0 GHz的頻率下提供300-500 W的連續(xù)波功率和75-110 W的線性平均DVB功率。這些技術(shù)具有非常好的堅固性,一個八度的寬帶操作,并且非??煽?。

相關(guān)品牌推薦Ampleon

推薦資訊

  • TI德州儀器電流感應(yīng)放大器模擬輸出
    TI德州儀器電流感應(yīng)放大器模擬輸出 2021-08-03 17:10:04

    TI德州儀器電流感應(yīng)放大器根據(jù)放大電阻并聯(lián)器的差分信號壓降,提供高精密度、成本更低的電流量和功率精確測量.

  • Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET
    Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET 2024-06-18 09:08:59

    Solitron 2N5911/2N5912雙通道N溝道JFET專為寬帶差分放大器設(shè)計,采用TO-78封裝,適用于軍事應(yīng)用,提供定制規(guī)格和匹配包裝選項。特點包括低噪聲水平(4.0 nV/√Hz)、低漏電流(小于10pA)和低輸入電容(5.0 pF)。這些特性使其在需要高性能、低噪聲和低漏電流的應(yīng)用中表現(xiàn)出色,尤其適合精確的寬帶差分放大器。如需更多信息或定制需求,請直接聯(lián)系工廠。

在線留言

在線留言

精品人妻无码专区中文字幕| 男女性高爱潮免费网站| 中文字幕AV无码免费一区| 国产精品成人无码久久久久久| 在线天堂网| 777影院| 日韩无套内射| 伊人中文| 99热超碰| 国产真实乱人偷精品| 国产亚洲精品综合一区91| 日韩αv| 日韩天堂网| 成人精品一区二区三区| a天堂在线| 国产日韩精品在线| 月色导航| 涩涩涩涩涩| 美国三级黄色片| 欧美成人午夜免费视在线看片| 日韩精品乱码久久久久久| 欧美黄色小说| 丝袜无内| 亚洲不卡在线| 一本au道大尺码高清专区| 久草久草久草| 色吊丝中文字幕| 色偷偷超碰| 国产精品6| 国产亚洲精品久久久美女| 日韩精品一区二区三区四区| 奇米av| 国产成人精品一区二区三区免费| 人人妻人人爽人人澡AV| 和林格尔县| 亚洲欧美另类久久久精品| 亚洲人成电影网站在线观看| 亚洲欧美综合一区二区三区| 亚洲国产色播av在线| 无码人妻精品一区二区三区久久 | 日韩久久无码免费毛片软件|